IPD80R360P7ATMA1 Infineon Technologies FET simples MOSFET

Fabricant: Infineon Technologies
Série: CoolMOS??P7
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 800 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 13A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 3.5V @ 280µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 30 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 930 pF @ 500 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 84W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: PG-TO252-3
Paquet / Étui: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base: IPD80R