IPT60R028G7XTMA1 Infineon Technologies FET simples MOSFET

Fabricant: Infineon Technologies
Série: CoolMOS??G7
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 75A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 28mOhm @ 28.8A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 4V @ 1.44mA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 123 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 4820 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 391W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: PG-HSOF-8-2
Paquet / Étui: 8-PowerSFN
Numéro de produit de base: IPT60R028