IRLHS6242TRPBF Infineon Technologies FET simples MOSFET

Fabricant: Infineon Technologies
Série: HEXFET®
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 10A (Ta), 12A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 2.5V, 4.5V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 11.7mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) à Id: 1.1V @ 10µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 1110 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 1.98W (Ta), 9.6W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Paquet / Étui: 6-PowerVDFN
Numéro de produit de base: IRLHS6242