FDZ209N Fairchild Semiconductor FET simples MOSFET

Fabricant: Fairchild Semiconductor
Série: PowerTrench®
Emballer: Bulk
Statut du produit: Obsolete
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 4A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 5V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 5V
Vgs(th) (Max) à Id: 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 9 nC @ 5 V
Vgs (Max): ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 657 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 2W (Ta)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: 12-BGA (2x2.5)
Paquet / Étui: 12-WFBGA