FQI16N25CTU Fairchild Semiconductor FET simples MOSFET

Fabricant: Fairchild Semiconductor
Série: QFET®
Emballer: Tube
Statut du produit: Obsolete
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 250 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 15.6A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 270mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 53.5 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 1080 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 3.13W (Ta), 139W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage: Through Hole
Package d'appareils du fournisseur: I2PAK (TO-262)
Paquet / Étui: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA