UPA650TT-E1-A Renesas Electronics Corporation FET simples MOSFET

Fabricant: Renesas Electronics Corporation
Série: -
Emballer: Bulk
Statut du produit: Obsolete
Type de FET: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 12 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 5A (Ta)
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) à Id: 1.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 610 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 200mW (Ta)
Température de fonctionnement: 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: 6-WSOF
Paquet / Étui: 6-SMD, Flat Leads