UPA2800T1L-E1-AY Renesas Electronics Corporation FET simples MOSFET

Fabricant: Renesas Electronics Corporation
Série: -
Emballer: Bulk
Statut du produit: Obsolete
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 17A (Ta)
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 7.3mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 17 nC @ 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 1770 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET: -
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Paquet / Étui: 8-VDFN Exposed Pad