RTQ020N05HZGTR Rohm Semiconductor FET simples MOSFET

Fabricant: Rohm Semiconductor
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 45 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 2A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 2.5V, 4.5V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) à Id: 1.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 150 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 950mW (Ta)
Température de fonctionnement: 150°C (TJ)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: TSMT6 (SC-95)
Paquet / Étui: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Numéro de produit de base: RTQ020