IXTU01N100 IXYS FET simples MOSFET

Fabricant: IXYS
Série: -
Emballer: Tube
Statut du produit: Last Time Buy
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 1000 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 100mA (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 80Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 4.5V @ 25µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 54 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 25W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage: Through Hole
Package d'appareils du fournisseur: TO-251AA
Paquet / Étui: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numéro de produit de base: IXTU01