IXTY08N100D2 IXYS FET simples MOSFET

Fabricant: IXYS
Série: Depletion
Emballer: Tube
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 1000 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 800mA (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): -
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
Vgs(th) (Max) à Id: -
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Vgs (Max): ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 325 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET: Depletion Mode
Dissipation de puissance (max.): 60W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: TO-252AA
Paquet / Étui: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base: IXTY08