IXFN32N100Q3 IXYS FET simples MOSFET

Fabricant: IXYS
Série: HiPerFET?? Q3 Class
Emballer: Tube
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 1000 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 28A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 320mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 6.5V @ 8mA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 195 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 9940 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 780W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage: Chassis Mount
Package d'appareils du fournisseur: SOT-227B
Paquet / Étui: SOT-227-4, miniBLOC
Numéro de produit de base: IXFN32