NVMFS4C01NWFT3G onsemi FET simples MOSFET

Fabricant: onsemi
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR)
Statut du produit: Not For New Designs
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 49A (Ta), 319A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 4.5V, 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 139 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 10144 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 175°C (TJ)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquet / Étui: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Numéro de produit de base: NVMFS4