FQD10N20LTM onsemi FET simples MOSFET

Fabricant: onsemi
Série: QFET®
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Obsolete
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 7.6A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 5V, 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 360mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 17 nC @ 5 V
Vgs (Max): ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 830 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 2.5W (Ta), 51W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: D-Pak
Paquet / Étui: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base: FQD10N20