FCP260N60E onsemi FET simples MOSFET

Fabricant: onsemi
Série: SuperFET® II
Emballer: Tube
Statut du produit: Not For New Designs
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 15A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 3.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 62 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 2500 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 156W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage: Through Hole
Package d'appareils du fournisseur: TO-220-3
Paquet / Étui: TO-220-3
Numéro de produit de base: FCP260