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NTPF082N65S3F onsemi FET simples MOSFET

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Fabricant: onsemi
Série: SuperFET® III
Emballer: Tube
Statut du produit: Not For New Designs
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 40A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 5V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 70 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 3240 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 48W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage: Through Hole
Package d'appareils du fournisseur: TO-220F-3
Paquet / Étui: TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base: NTPF082

Datasheet

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