NTS2101PT1G onsemi FET simples MOSFET

Fabricant: onsemi
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 8 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 1.4A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 1.8V, 4.5V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) à Id: 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Vgs (Max): ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 640 pF @ 8 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 290mW (Ta)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: SC-70-3 (SOT323)
Paquet / Étui: SC-70, SOT-323
Numéro de produit de base: NTS2101