NTD4858NT4G onsemi FET simples MOSFET

Fabricant: onsemi
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Statut du produit: Obsolete
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 25 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 11.2A (Ta), 73A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 4.5V, 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 1563 pF @ 12 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: DPAK
Paquet / Étui: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base: NTD4858