SCT10N120 STMicroelectronics FET simples MOSFET

Fabricant: STMicroelectronics
Série: -
Emballer: Tube
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: SiCFET (Silicon Carbide)
Tension drain-source (Vdss): 1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 12A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 20V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 20V
Vgs(th) (Max) à Id: 3.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 22 nC @ 20 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 290 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 150W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage: Through Hole
Package d'appareils du fournisseur: HiP247??