TPH6R004PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage FET simples MOSFET

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
Série: U-MOSIX-H
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 87A (Ta), 49A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 4.5V, 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 6mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 2.4V @ 200µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 30 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 2700 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 1.8W (Ta), 81W (Tc)
Température de fonctionnement: 175°C
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: 8-SOP Advance (5x5)
Paquet / Étui: 8-PowerVDFN
Numéro de produit de base: TPH6R004