TPN2R703NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage FET simples MOSFET

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
Série: U-MOSVIII-H
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 45A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 4.5V, 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 2.3V @ 300µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 21 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 2100 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Température de fonctionnement: 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Paquet / Étui: 8-PowerVDFN
Numéro de produit de base: TPN2R703