SSM3K16FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage FET simples MOSFET

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
Série: ?-MOSVI
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 100mA (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 1.5V, 4V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) à Id: 1.1V @ 100µA
Vgs (Max): ±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 9.3 pF @ 3 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 150mW (Ta)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: USM
Paquet / Étui: SC-70, SOT-323
Numéro de produit de base: SSM3K16