SSM6J512NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage FET simples MOSFET

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
Série: U-MOSVII
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 12 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 10A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 1.8V, 8V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 16.2mOhm @ 4A, 8V
Vgs(th) (Max) à Id: 1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 19.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 1400 pF @ 6 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 1.25W (Ta)
Température de fonctionnement: 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: 6-UDFNB (2x2)
Paquet / Étui: 6-WDFN Exposed Pad
Numéro de produit de base: SSM6J512