SSM6J216FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage FET simples MOSFET

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
Série: U-MOSVI
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 12 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 4.8A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 1.5V, 4.5V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 32mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) à Id: 1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 12.7 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 1040 pF @ 12 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 700mW (Ta)
Température de fonctionnement: 150°C
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: ES6
Paquet / Étui: SOT-563, SOT-666
Numéro de produit de base: SSM6J216