TPC8132,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage FET simples MOSFET

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
Série: U-MOSVI
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 7A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 4.5V, 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 25mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 2V @ 200µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 34 nC @ 10 V
Vgs (Max): +20V, -25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 1580 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 1W (Ta)
Température de fonctionnement: 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: 8-SOP
Paquet / Étui: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)
Numéro de produit de base: TPC8132