SSM3J65CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage FET simples MOSFET

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
Série: U-MOSVII
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 700mA (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 1.2V, 4.5V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) à Id: 1V @ 1mA
Vgs (Max): ±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 48 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 500mW (Ta)
Température de fonctionnement: 150°C
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: CST3C
Paquet / Étui: SC-101, SOT-883
Numéro de produit de base: SSM3J65