SSM5H90ATU,LF Toshiba Semiconductor and Storage FET simples MOSFET

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 2.4A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 2.5V, 4V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 65mOhm @ 1.5A, 4V
Vgs(th) (Max) à Id: 1.2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 2.2 nC @ 4 V
Vgs (Max): ±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 200 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 500mW (Ta)
Température de fonctionnement: 150°C
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: UFV
Paquet / Étui: 5-SMD, Flat Leads
Numéro de produit de base: SSM5H90