TK5Q60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage FET simples MOSFET

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
Série: DTMOSIV
Emballer: Tube
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 5.4A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 900mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 3.7V @ 270µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 380 pF @ 300 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 60W (Tc)
Température de fonctionnement: 150°C (TJ)
Type de montage: Through Hole
Package d'appareils du fournisseur: I-Pak
Paquet / Étui: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Numéro de produit de base: TK5Q60