SSM3K329R,LF Toshiba Semiconductor and Storage FET simples MOSFET

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
Série: U-MOSIII
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Not For New Designs
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 3.5A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 1.8V, 4V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4V
Vgs(th) (Max) à Id: 1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 1.5 nC @ 4 V
Vgs (Max): ±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 123 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 1W (Ta)
Température de fonctionnement: 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: SOT-23F
Paquet / Étui: SOT-23-3 Flat Leads
Numéro de produit de base: SSM3K329