SSM6J511NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage FET simples MOSFET

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
Série: U-MOSVII
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 12 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 14A (Ta)
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 9.1mOhm @ 4A, 8V
Vgs(th) (Max) à Id: 1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 3350 pF @ 6 V
Fonctionnalité FET: -
Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: 6-UDFNB (2x2)
Paquet / Étui: 6-WDFN Exposed Pad
Numéro de produit de base: SSM6J511