TSM180N03PQ33 RGG Taiwan Semiconductor Corporation FET simples MOSFET

Fabricant: Taiwan Semiconductor Corporation
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 25A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 4.5V, 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 345 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 21W (Tc)
Température de fonctionnement: 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: 8-PDFN (3.1x3.08)
Paquet / Étui: 8-PowerVDFN
Numéro de produit de base: TSM180