TSM260P02CX6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation FET simples MOSFET

Fabricant: Taiwan Semiconductor Corporation
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 6.5A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 1.8V, 4.5V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) à Id: 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 19.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 1670 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 1.56W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: SOT-26
Paquet / Étui: SOT-23-6
Numéro de produit de base: TSM260