TSM110NB04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation FET simples MOSFET

Fabricant: Taiwan Semiconductor Corporation
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 12A (Ta), 54A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 23 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 1443 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: 8-PDFN (5.2x5.75)
Paquet / Étui: 8-PowerLDFN
Numéro de produit de base: TSM110