E3M0075120D Wolfspeed, Inc. FET simples MOSFET

Fabricant: Wolfspeed, Inc.
Série: E-Series
Emballer: Tube
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: SiCFET (Silicon Carbide)
Tension drain-source (Vdss): 1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 32A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 15V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 97.5mOhm @ 17.9A, 15V
Vgs(th) (Max) à Id: 3.6V @ 5mA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 57 nC @ 15 V
Vgs (Max): +19V, -8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 1480 pF @ 1000 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 145W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 175°C (TJ)
Grade: Automotive
Type de montage: Through Hole
Package d'appareils du fournisseur: TO-247-3
Paquet / Étui: TO-247-3