SIJH800E-T1-GE3 Vishay Siliconix FET simples MOSFET

Fabricant: Vishay Siliconix
Série: TrenchFET® Gen IV
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 80 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 29A (Ta), 299A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 7.5V, 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 1.55mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 210 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 10230 pF @ 40 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: PowerPAK® 8 x 8
Paquet / Étui: PowerPAK® 8 x 8