NTMT095N65S3H onsemi FET simples MOSFET

Fabricant: onsemi
Série: SuperFET® III
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Not For New Designs
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 30A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 4V @ 2.8mA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 58 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 2833 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 208W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: 4-TDFN (8x8)
Paquet / Étui: 4-PowerTSFN