GPIHV30SB5L GaNPower FET simples MOSFET

Fabricant: GaNPower
Série: -
Emballer: Tube
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: GaNFET (Gallium Nitride)
Tension drain-source (Vdss): 1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 30A
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 6V
Vgs(th) (Max) à Id: 1.4V @ 3.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 8.25 nC @ 6 V
Vgs (Max): +7.5V, -12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 236 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): -
Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: Die
Paquet / Étui: Die