FBG20N18BC EPC Space, LLC FET simples MOSFET

Fabricant: EPC Space, LLC
Série: -
Emballer: Bulk
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: GaNFET (Gallium Nitride)
Tension drain-source (Vdss): 200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 18A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 5V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 26mOhm @ 18A, 5V
Vgs(th) (Max) à Id: 2.5V @ 3mA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 6 nC @ 5 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 900 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): -
Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: 4-SMD
Paquet / Étui: 4-SMD, No Lead