EPC7014UBC EPC Space, LLC FET simples MOSFET

Fabricant: EPC Space, LLC
Série: e-GaN®
Emballer: Bulk
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: GaNFET (Gallium Nitride)
Tension drain-source (Vdss): 60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 1A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 5V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 580mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) à Id: 2.5V @ 140µA
Vgs (Max): +7V, -4V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 22 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): -
Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: 4-SMD
Paquet / Étui: 4-SMD, No Lead
Numéro de produit de base: EPC7014