SIA4263DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix FET simples MOSFET

Fabricant: Vishay Siliconix
Série: TrenchFET® Gen III
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 7.5A (Ta), 12A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 1.8V, 4.5V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) à Id: 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 52.2 nC @ 8 V
Vgs (Max): ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 1825 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 3.29W (Ta), 15.6W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: PowerPAK® SC-70-6
Paquet / Étui: PowerPAK® SC-70-6