IPF016N10NF2SATMA1 Infineon Technologies FET simples MOSFET

Fabricant: Infineon Technologies
Série: StrongIRFET??2
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 274A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 6V, 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 3.8V @ 267µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 241 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 11000 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 300W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: PG-TO263-7-14
Paquet / Étui: -
Numéro de produit de base: IPF016N