SI3499DV-T1-BE3 Vishay Siliconix FET simples MOSFET

Fabricant: Vishay Siliconix
Série: TrenchFET®
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 8 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 5.3A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 1.5V, 4.5V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) à Id: 750mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±5V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 1.1W (Ta)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: 6-TSOP
Paquet / Étui: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6