SIHP22N60AE-BE3 Vishay Siliconix FET simples MOSFET

Fabricant: Vishay Siliconix
Série: E
Emballer: Tube
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 20A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 96 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 1451 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 179W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage: Through Hole
Package d'appareils du fournisseur: TO-220AB
Paquet / Étui: TO-220-3