SIDR220DP-T1-RE3 Vishay Siliconix FET simples MOSFET

Fabricant: Vishay Siliconix
Série: TrenchFET® Gen IV
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 25 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 87.7A (Ta), 100A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 4.5V, 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 2.1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 200 nC @ 10 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 10850 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: PowerPAK® SO-8DC
Paquet / Étui: PowerPAK® SO-8