G29 Goford Semiconductor FET simples MOSFET

Fabricant: Goford Semiconductor
Série: TrenchFET®
Emballer: Tape & Reel (TR)
Statut du produit: Active
Type de FET: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 4.1A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 2.5V, 4.5V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) à Id: 900mV @ 250µA
Vgs (Max): ±12V
Fonctionnalité FET: Standard
Dissipation de puissance (max.): 1.05W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: SOT-23
Paquet / Étui: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3