IPB043N10NF2SATMA1 Infineon Technologies FET simples MOSFET

Fabricant: Infineon Technologies
Série: StrongIRFET??2
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 21A (Ta), 135A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 6V, 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 4.35mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 3.8V @ 93µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 85 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 4000 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: PG-TO263-3
Paquet / Étui: -