ISZ56DP15LMATMA1 Infineon Technologies FET simples MOSFET

Fabricant: Infineon Technologies
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 150 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 1.35A (Ta), 6.7A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 4.5V, 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 560mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 2V @ 724µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 40 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 1400 pF @ 75 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: PG-TSDSON-8 FL
Paquet / Étui: 8-PowerTDFN
Numéro de produit de base: ISZ56DP15