G220P02D2 Goford Semiconductor FET simples MOSFET

Fabricant: Goford Semiconductor
Série: TrenchFET®
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 8A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 4.5V, 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) à Id: 1.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 14 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 1873 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET: Standard
Dissipation de puissance (max.): 3.5W (Tc)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: 6-DFN (2x2)
Paquet / Étui: 6-UDFN Exposed Pad