GNP1070TC-ZE2 Rohm Semiconductor FET simples MOSFET

Fabricant: Rohm Semiconductor
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: GaNFET (Gallium Nitride)
Tension drain-source (Vdss): 650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 20A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 5V, 5.5V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 98mOhm @ 1.9A, 5.5V
Vgs(th) (Max) à Id: 2.4V @ 18mA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 5.2 nC @ 6 V
Vgs (Max): +6V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 200 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 56W (Tc)
Température de fonctionnement: 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur: DFN8080K
Paquet / Étui: 8-PowerDFN
Numéro de produit de base: GNP1070