GAN140-650EBEZ Nexperia USA Inc. FET simples MOSFET

Fabricant: Nexperia USA Inc.
Série: -
Emballer: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: GaNFET (Gallium Nitride)
Tension drain-source (Vdss): 650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 17A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 6V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 6V
Vgs(th) (Max) à Id: 2.5V @ 17.2mA
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 3.5 nC @ 6 V
Vgs (Max): +7V, -1.4V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds: 125 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET: -
Dissipation de puissance (max.): 113W (Ta)
Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage: Surface Mount, Wettable Flank
Package d'appareils du fournisseur: DFN8080-8
Paquet / Étui: 8-VDFN Exposed Pad
Numéro de produit de base: GAN140