TO220FMD10N65F NextGen Components FET simples MOSFET

Fabricant: NextGen Components
Série: TO-220F
Emballer: Tube
Statut du produit: Active
Type de FET: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss): 650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C: 10A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé): 10V
Rds activé (max.) à Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs: 34.2 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V